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Datenwartung
SCE 537 A |
Transistor für allgemeine Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 60.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 0.38 W |
Grenzfrequenz (fT): | 50.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 40 - 100 |
Kompatibel: | BC 859 - ITT |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SCE 537 A |
1.90 |
1.41 |
1.15 |
0.85 |
Datenblatt: | 1988 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1988 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:28 |
