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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SCE 538 A

Transistor für allgemeine Anwendung

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

60.00 V

Strom (IC):

1.00 A

Leistung (Ptot):

0.80 W

Grenzfrequenz (fT):

50.00 MHz

Verstärkung (h21e):

40 - 100

Kompatibel:

BC 859 - ITT
BCF 29/30 - Valvo


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SCE 538 A

2.05
1.52
1.25
0.93

Datenblatt:

1988 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1988

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:28