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Datenwartung
SSE 201 |
Transistor für allgemeine Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 100.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 30.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Verstärkung (h21e): | 32 |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SSE 201 |
1.15 |
0.85 |
0.69 |
0.51 |
Datenblatt: | 1987 - Aktive elektronische Bauelemente, Neuheiten | |
Datenblatt: | 1987/2 - Datenblattsammlung |
Daten veröffentlicht: 1987 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:28 |
