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Datenwartung

P 217 G (П 217 Г)

npn-NF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

- 60.00 V

Strom (IC):

7.50 A

Leistung (Ptot):

24.00 W

Grenzfrequenz (fT):

100.00 kHz

Kompatibel:

SFH 609 - Siemens
CNY 75 - Telefunken


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1969

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38