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Datenwartung

GT 108 A (ГT 108 A)

NF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

- 15.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

75.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

500.00 kHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---


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Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GT 108 A

1.60
1.19
0.96
0.71

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1969

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36