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Datenwartung

GT 309 E (ГT 309 E)

pnp-Miniatur-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

- 10.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

20.00 MHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---


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Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GT 309 E

3.65
2.70
2.20
1.63

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1969

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36