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Datenwartung

GT 311 D (ГT 311 Д)

npn-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

- 12.00 V

Strom (IC):

20.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

100.00 MHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1969

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36