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für DDR-Bauteile


Datenwartung

KT 801 A

npn-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

- 80.00 V

Strom (IC):

2.00 A

Leistung (Ptot):

5.00 W

Grenzfrequenz (fT):

10.00 MHz

Kompatibel:

4027 - - Verschiedene Hersteller


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DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

KT 801 A

2.60
1.93
1.55
1.15

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1969

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:36