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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GS 506

Schalttransistor

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

15.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

85.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

14.00 MHz

Verstärkung (h21e):

40 - 300

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1970 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten-WEB:

www


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Daten veröffentlicht: 1970

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:33