SF 150

Transistor für Videoendstufen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CEO):

- 140.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

50.00 mA

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

80.00 MHz

Kompatibel:

BFY 39 - ITT
BSX 25 - Telefunken
BSY 19 - Valvo

Typen in Klammern sind ähnlich!

SF 150

7.00

5.19

4.20

3.11

SF 150 B

8.25

6.11

4.95

3.67

SF 150 C

8.60

6.37

5.15

3.82

Datenblatt:

1972 - Elektronisches Jahrbuch

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Daten veröffentlicht: 1972

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29