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 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
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Datenwartung
GP 119 |
Fotodiode |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Durchlassgleichspannung: | 20.00 V |
Durchlassgleichstrom: | 3.00 mA |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GP 119 |
17.50 |
12.97 |
10.50 |
7.78 |
Datenblatt: | 1972 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | 1966 - Halbleiter-Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1966 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
