Einloggen! |
||
Anmelden! |
Start |
---|
Analogschaltkreise |
Digitalschaltkreise |
Mikrorechner/Speicher |
Transistoren |
Diode/Thyr./Triac |
Optoelektronik |
Sonstiges |
Weitere Tabellen |
---|
Datenbücher |
Sockelschaltungen |
Kompatibel |
Preislisten |
Fehler melden
Onlineangebot für DDR-Bauteile |
---|
Datenwartung
GT 322 E (ГT 322 E) |
HF-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | - 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 5.00 mA |
Leistung (Ptot): | 50.00 mW |
Kompatibel: | FD 7 - ?---Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GT 322 E |
4.20 |
3.11 |
2.50 |
1.85 |
Datenblatt: | 1973 - Elektronisches Jahrbuch | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1973 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37 |