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Datenwartung
KT 326 A |
Planar-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | - 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 50.00 mA |
Leistung (Ptot): | 250.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 400.00 MHz |
Kompatibel: | 4027 - - Verschiedene HerstellerTypen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KT 326 A |
2.25 |
1.67 |
1.35 |
1.00 |
KT 326 AM |
1.30 |
0.96 |
0.78 |
0.58 |
Datenblatt: | 1973 - Elektronisches Jahrbuch |
Daten veröffentlicht: 1973 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37 |
