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Datenwartung
GC 520 |
Transistor für Komplementärendstufen |
Hersteller: | TESLA Roznov, CSSR, CSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 16.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 1.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 60 - 175 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 520 |
4.85 |
3.59 |
2.90 |
2.15 |
Datenblatt: | 1974 - Elektronisches Jahrbuch | |
Daten-WEB: | www |
Daten veröffentlicht: 1974 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:32 |
