BD 139

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CEO):

80.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

0.50 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

200.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 160

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

BD 139

2.20

1.63

1.30

0.96

BD 139-10

2.35

1.74

1.40

1.04

BD 139 G/140 G

5.10

3.78

3.05

2.26

BD 139 H

2.20

1.63

1.30

0.96

BD 139 H/140 H

5.10

3.78

3.05

2.26

BD 139 I/140 I

5.35

3.96

3.20

2.37

BD 139 K

2.35

1.74

1.40

1.04

BD 139 K/140 K

5.35

3.96

3.20

2.37

BD 139/140

5.10

3.78

3.05

2.26

Datenblatt:

1978 - Elektronisches Jahrbuch

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Datenblatt:

Unitra

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Daten veröffentlicht: 1975

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38