| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
KP 103 I (KП 103 И) |
Feldeffekt-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | p-Kan |
Spannung (UCEO): | - 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 2.50 mA |
Leistung (Ptot): | 21.00 mW |
Kompatibel: | 4027 - - Verschiedene HerstellerTypen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KP 103 I |
4.50 |
3.33 |
2.70 |
2.00 |
Datenblatt: | 1987/2 - Datenblattsammlung |
Daten veröffentlicht: 1987 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37 |
