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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SU 193

Schalt-Transistor für Schaltnetzteile

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

- 300.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

15.00 A

Leistung (Ptot):

150.00 W

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1989/1 - Datenblattsammlung


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1989/1 - Datenblattsammlung


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Daten veröffentlicht: 1989

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:31