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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SC 110 E

NF-Transistor für universelle Anwendung

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

20.00 V

Strom (IC):

250.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

40.00 MHz

Verstärkung (h21e):

226 - 550

Kompatibel:

BAW 75 -
BAY 52 -
1 N 138 -


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29