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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SC 206 F

NF-Transistor für Vor- und Treiberstufen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

15.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Verstärkung (h21e):

450 - 1120

Kompatibel:

BAW 75 -
BAY 52 -
1 N 138 -


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 206 F

2.90
2.15
1.75
1.30

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29