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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SC 236 F

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

20.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

210.00 MHz

Verstärkung (h21e):

450 - 1120

Kompatibel:

-


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1981

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:28