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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SC 237 E

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

20.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

170.00 MHz

Verstärkung (h21e):

224 - 560

Kompatibel:

BC 237 - - Verschiedene Hersteller


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 237 E

0.77
0.57
0.46
0.34

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1981

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:36:01