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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SC 239 E

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

45.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

170.00 MHz

Verstärkung (h21e):

224 - 560

Kompatibel:

BC 239 - - Verschiedene Hersteller

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DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 239 E

0.85
0.63
0.51
0.38

SC 239 E SOME

6.90
5.11
4.15
3.07

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1981

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:40:03