| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
SC 309 D |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 45.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 350.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 112 - 280 |
Kompatibel: | BC 309 - - Verschiedene Hersteller | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SC 309 D |
0.85 |
0.63 |
0.51 |
0.38 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1984 |
Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:42:48 |
