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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SC 309 E

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

45.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

350.00 MHz

Verstärkung (h21e):

224 - 560

Kompatibel:

BC 309 - - Verschiedene Hersteller


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 309 E

0.92
0.68
0.55
0.41

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:42:59