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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SD 335 B

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

45.00 V

Strom (IC):

1.50 A

Leistung (Ptot):

12.50 W

Grenzfrequenz (fT):

210.00 MHz

Verstärkung (h21e):

63 - 160

Kompatibel:

BD 135 - - Verschiedene Hersteller


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SD 335 B

1.75
1.30
1.05
0.78

SD 335 B/SD 335 B

4.05
3.00
2.45
1.82

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:56:37