SD 337 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CEO):

60.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

1.50 A

Leistung (P_tot):

12.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

210.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

100 - 250

Kompatibel:

BD 137 - - Verschiedene Hersteller

Typen in Klammern sind ähnlich!

SD 337 C

2.05

1.52

1.25

0.93

SD 337 C/SD 338 C

4.80

3.56

2.90

2.15

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:57:58