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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SD 340 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

80.00 V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

1.50 A

Leistung (Ptot):

12.50 W

Grenzfrequenz (fT):

210.00 MHz

Verstärkung (h21e):

100 - 250

Kompatibel:

BD 140 - - Verschiedene Hersteller

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DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SD 339 C/SD 340 C

5.60
4.15
3.35
2.48

SD 340 C

2.65
1.96
1.60
1.19

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 20.03.2024 / 08:53:10