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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SF 122 B

Transistor für Breitband-, NF- und HF-Verstärker

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

33.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

130.00 MHz

Verstärkung (h21e):

28 - 71

Kompatibel:

BFY 10 - Mullard

Google

BFY 33 - Siemens

Google

BSY 67 - Valvo

Google

BSY 44 - Telefunken

Google

2 SC 151 - Hitachi


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Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 122 B

2.45
1.82
1.45
1.07

Datenblatt:

1972 - Elektronisches Jahrbuch


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Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


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Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 09:10:10