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Datenwartung
SF 123 C |
Transistor für Breitband-, NF- und HF-Verstärker |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 66.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 600.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 130.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 56 - 140 |
Kompatibel: | BFY 34 - Siemens | |
BSY 10 - Mullard | ||
BSY 45 - Telefunken | ||
2 SC 152 - Hitachi |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 123 C |
3.35 |
2.48 |
2.00 |
1.48 |
Datenblatt: | 1972 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | 1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Daten veröffentlicht: 1968 |
Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 09:12:14 |
