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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SF 126 E

Transistor für Breitband- und Schalter

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

20.00 V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

500.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

60.00 MHz

Verstärkung (h21e):

224 - 560

Kompatibel:

BSY 51 - ITT

Google

BFY 33 - Siemens

Google

BSY 51 - Valvo

Google


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DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 126 E

2.75
2.04
1.65
1.22

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


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Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 20.03.2024 / 08:59:16