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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SF 829 D

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

80.00 V

Strom (IC):

500.00 mA

Leistung (Ptot):

735.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

60.00 MHz

Verstärkung (h21e):

112 - 280

Kompatibel:

BF 469 - - Verschiedene Hersteller


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 829 D

2.10
1.56
1.25
0.93

Datenblatt:

1988 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1987

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30