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Datenwartung
SF 136 E |
Transistor für HF-Verstärker |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 12.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 200.00 mA |
Leistung (Ptot): | 1.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 300.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 224 - 560 |
Kompatibel: | 2 N 708 - - Verschiedene Hersteller | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 136 E |
2.30 |
1.70 |
1.40 |
1.04 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Daten veröffentlicht: 1968 |
Letzte Bearbeitung: 21.03.2024 / 09:05:37 |
