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Datenwartung
SS 219 B |
npn-Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 350.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 28 - 71 |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SS 219 B |
0.85 |
0.63 |
0.51 |
0.38 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1985 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
