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Datenwartung
SSE 219 D |
npn-Transistor für digitale Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 15.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Verstärkung (h21e): | 112 - 280 |
Kompatibel: | (BSV 52) - - Verschiedene Hersteller | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SSE 219 D |
1.50 |
1.11 |
0.90 |
0.67 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1985 |
Letzte Bearbeitung: 21.03.2024 / 09:21:48 |
