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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GC 116 B

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

20.00 V

Strom (IC):

150.00 mA

Leistung (Ptot):

120.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

750.00 kHz

Verstärkung (h21e):

29 - 55

Kompatibel:

AC 116 - Telefunken
AC 125 - Valvo
AC 151 - Siemens
P 6 B - UdSSR
AC 117 - WD
AC 125 - WD
2 N 187 - USA
OC 76 - CSSR-Tesla
2 SB 75 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

2 GC 116 B

2.90
2.15
1.75
1.30

GC 116 B

1.35
1.00
0.81
0.60

GC 116 B SOME R

1.60
1.19
0.96
0.71

GC 116 B SOME S

2.10
1.56
1.25
0.93

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 08:19:46