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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GC 122 A

NF-Transistor (früher OC 822)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

33.00 V

Strom (IC):

250.00 mA

Leistung (Ptot):

120.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

12.00 kHz

Verstärkung (h21e):

18 - 35

Kompatibel:

AC 131/30 - Telefunken
P 13 A - UdSSR
AC 152 - WD
OC 307 - WD
2 N 44 - USA
OC 76 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan
2 SB 89 A - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

2 GC 122 A

2.55
1.89
1.55
1.15

GC 122 A

1.15
0.85
0.69
0.51

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 27.03.2024 / 09:16:53