| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
GD 100 |
NF-Transistor (früher OC 830) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 18.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 2.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 100.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | <10 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GD 100 |
5.95 |
4.41 |
3.55 |
2.63 |
GD 100 |
2.70 |
2.00 |
1.60 |
1.19 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Daten veröffentlicht: 1965 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
