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Datenwartung
GD 110 |
NF-Transistor (früher OC 831) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 18.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 1.30 A |
Leistung (Ptot): | 2.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 200.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | <5 |
Kompatibel: | AD 155 - Telefunken | |
P 3 A - UdSSR |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GD 110 A |
7.15 |
5.30 |
4.30 |
3.19 |
2 GD 110 B |
10.10 |
7.48 |
6.10 |
4.52 |
GD 110 A |
3.25 |
2.41 |
1.95 |
1.44 |