GD 241

NF-Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

35.00 V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

3.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

450.00 kHz

Kompatibel:

4 NU 73 - Tesla, CSSR

2 SB 230 - Hitachi

AD 138/50 - Telefunken

ASZ 17 - Valvo

ASZ 1017 - Tungsram, VR Ungarn

AUY 21 - Siemens
P 4 G - Mashpriboringtorg, UdSSR

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GD 241 A

16.60

12.30

10.00

7.41

2 GD 241 B

18.80

13.93

11.30

8.37

2 GD 241 C

20.90

15.49

12.50

9.26

2 GD 241 D

22.00

16.30

13.20

9.78

GD 241 A

7.55

5.59

4.55

3.37

GD 241 B

8.50

6.30

5.10

3.78

GD 241 C

9.50

7.04

5.70

4.22

GD 241 D

10.00

7.41

6.00

4.45

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:55:32