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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GS 121

Schalttransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

- 20.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

100.00 mA

Kompatibel:

FD 7 - ?---


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GS 121 A

2.00
1.48
1.20
0.89

GS 121 B

2.95
2.19
1.75
1.30

GS 121 C

3.50
2.59
2.10
1.56

GS 121 D

4.20
3.11
2.50
1.85

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29