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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GF 120

HF-Transistor (früher OC 880)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

25.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

30.00 MHz

Kompatibel:

P 401 - UdSSR
AF 101 - WD
AF 117 - WD
2 N 247 - USA
OC 169 - CSSR-Tesla
2 SA 350 - Japan


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 120

3.10
2.30
1.85
1.37

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29