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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GF 130

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

20.00 V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Kompatibel:

AF 126 - Valvo
AF 137 - Telefunken
AF 137 T - Tungsram, VR Ungarn
2 SA 234 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 130

4.70
3.48
2.80
2.07

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 08:40:07