SC 309 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

45.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

350.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

56 - 140

Kompatibel:

BC 309 - - Verschiedene Hersteller

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

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Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:42:38