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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SF 018

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

45.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

600.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

60.00 MHz

Verstärkung (h21e):

90 - 130

Kompatibel:

-


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1988

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30