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Datenwartung
SF 117 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | - 30.00 V |
Strom (IC): | 500.00 mA |
Leistung (Ptot): | 600.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 117 B |
2.75 |
2.04 |
1.65 |
1.22 |
SF 117 C |
2.85 |
2.11 |
1.70 |
1.26 |
SF 117 D |
3.00 |
2.22 |
1.80 |
1.33 |
SF 117 E |
3.10 |
2.30 |
1.85 |
1.37 |
Datenblatt: | 1988 - Aktive elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1988 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30 |