SF 118

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

- 60.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

60.00 MHz

Kompatibel:

-

Typen in Klammern sind ähnlich!

SF 118 B

3.10

2.30

1.85

1.37

SF 118 C

3.35

2.48

2.00

1.48

SF 118 D

3.50

2.59

2.10

1.56

SF 118 E

3.75

2.78

2.25

1.67

Datenblatt:

1988 - Aktive elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1988

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30