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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SF 235

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

25.00 V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

25.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

740.00 MHz

Kompatibel:

BF 255 - ITT

Google

BF 255/310 - Telefunken

Google


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 235

1.85
1.37
1.10
0.82

SF 235 S 1

0.55
0.41
0.00
0.00

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 21.03.2024 / 09:09:13