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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SF 359

Transistor für Video und NF

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

300.00 V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

6.00 W

Grenzfrequenz (fT):

50.00 MHz

Verstärkung (h21e):

35 < 25

Kompatibel:

BF 459 - - Verschiedene Hersteller

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Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 359

4.30
3.19
2.60
1.93

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 21.03.2024 / 09:10:41