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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SFE 225

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

- 25.00 V

Strom (IC):

25.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

390.00 MHz

Kompatibel:

BF 469 - - Verschiedene Hersteller


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SFE 225

1.50
1.11
0.90
0.67

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29