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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SFE 245

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

25.00 V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

25.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

910.00 MHz

Kompatibel:

BFS 20 - Siemens

Google

BSF 20 - Telefunken

Google

BSF 20 - Valvo

Google


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DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SFE 245

1.60
1.19
0.96
0.71

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:25:28